一、理论

    半导体致冷器是由半导体所组成的一种冷却装置，于1960出现，然而其理论基础Peltier effect可追溯到19世纪。如图是由X及Y两种不同的金属导线所组成的封闭线路，通上电源之后，冷端的热量被移到热端，导致冷端温度降低，热端温度升高，这就是著名的Peltier effect。这现象最早是在1821年，由一位德国科学家Thomas Seeback首先发现，不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背后真正的科学原理。

    到了1834年，一位法国钟表匠，同时也是兼职研究这现象的物理学家Jean Peltier，才发现背后真正的原因，这个现象直到近代随著半导体的发展才有了实际的应用，也就是“致冷器”的发明（注意，这种叫致冷器，还不叫半导体致冷器）。

    下面我们来看一下半导体致冷器的结构。

    由许多N型和P型半导体之颗粒互相排列而成，而N P之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其他金属导体，最后由两片陶瓷片像夹心饼干一样夹起来，陶瓷片必须绝缘且导热良好。

    了解这么多我们已经能够了解知道半导体是如何散热的了，下面让我们看看这种制冷对超频有什么影响。

二、技术资料

1、普通半导体制冷片型号、规格、参数

 2、小型半导体制冷片型号、规格、参数

3、温差发电组件型号、规格、参数
      随着保护环境、节约能源的呼声越来越高、利用温差发电可能是发展大方向、从小型器件到大型电站越来越多被从实验室理论应用到实践。本公司目前最新开发品种属国内领先水平，耐高温，长寿命等等。